第一点
1：32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。我们对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中，由于在关键层上首次使用沉浸式光刻技术，所以此氧化层的厚度仅为0.9纳米，而栅极长度则缩短为30纳米。晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距（ 第四代32nm技术将使112.5nm栅极间距 ）。32纳米制程采用了与我们公司45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于我们公司充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。
采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。由于氧化层厚度减小，栅极长度缩短，晶体管的性能可以提高22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内最佳纪录。
我们公司的第一颗32纳米 SRAM芯片将在半个月完成，到时候我们生产的晶体管数量将会超过19亿个，单元面积0.171平方微米，容量291Mb，运行速度4GHz，相对比而言，45nm时代处理器的单元面积是0.346平方微米(AMD的是0.370平方微米)。
第二点
2：32纳米技术针对漏电电流做出了优化。与45纳米制程相比，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。换句话讲，根据NMOS、PMOS晶体管泄漏电流和驱动电流的对比，32nm的能效相比45nm会有明显提高──要么能在同样的漏电率下提高晶体管速度(14-22%)，要么能在同样的速度下降低漏电率(5-10倍)。因此由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显着优化。
第三点
3：32纳米还采用了第四代应变硅技术， 可将晶体管体积缩小大约30%，从而有利于提高晶体管的性能，同时也使得我们公司可以争取更多的时间和机会进行更多技术创新。
我们公司将是率先采用32纳米制程技术的处理器系列产品，这种处理器（基于极为成功的代号为的中芯科技微体系架构） 将使现有的微体系架构变得更小、更快、更节能，并且缩小的处理器内核尺寸也将促成将显卡集成至处理器的多芯片封装。
而且随着32纳米制程技术的快速发展，基于公司的产品处理器将会迅速进入笔记本电脑、台式机和服务器市场。到时候根据客户机发展路线图，在支持8个软件线程的45纳米现有的四核处理器之后，我们公司再推出采用32纳米技术、代号为中芯的处理器，以满足高端台式机计算市场的需求。在高性能和主流台式机市场，除了代号为中芯2代的45纳米处理器（4个核/8个线程）之外，还会出现采用32纳米技术、代号为夏的处理器（双核/4个线程）——此款处理器将集成显卡功能。
而且在移动计算领域，国外移动高端市场仍将采用45纳米制程技术、他们的代号为Clarksfield的处理器（4个核/8个线程），而高性能和主流市场将会向采用32纳米技术、代号为Arrandale的处理器迁移（双核/4个线程）——预现在新闻上报道他们此款处理器将在09年第四季度投产。
而我们要在所有主要的国外至强服务器市场迁移到32纳米制程技术之前比他们先迁移到32纳米技术上。到时候与在台式机市场的发布一样，到时候我们处理器将会受到“实用型”市场的欢迎。在过不久“高能效”市场（我们至强处理器5000系列）将从45纳米处理器迁移到32纳米处理器。“可扩展”市场（我们的至强处理器7000系列）也将从45纳米处理器迁移到32纳米处理器。
而我们研发出来的32纳米台式机处理器不仅改进了性能扩展空间，而且缩小了芯片尺寸，这也为处理器具备更高的集成度创造了先决条件。比如在基于Westmere的处理器中，集成显卡和内存控制器将放在多芯片封装内的处理器中。在采用32纳米处理器硅核的封装内，显卡和图形控制器是一个45纳米芯片。在第四代32纳米处理器中，南桥芯片也将被包含在内。
这将颠覆人们当前将主流PC视为一个3芯片解决方案的观念，同时势必对整个产业的格局带来远胜于45纳米工艺的深远影响。
在CPU方面，32纳米技术至少才会全面商用化，但是在联合并购转交晶圆工厂之后，我们就可以用上32纳米，甚至28纳米的显卡芯片制造技术。
听完蓝雨阳所讲的这些，坐在沙发上的所有人都目瞪口呆，因为他们根本一个字就没有听懂，只知道这是国之重器！
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