“诶？怎么，您那边又进来了很多的新人嘛？”江夏捕捉到了听筒里传来的细微嘈杂声和议论声，有些不解的扣扣脑袋。
以前去兰英博士那边的时候，研究员们可喜欢和他一起写点歪诗了，咋今天听到的话，有些不对劲嘞。
“唉，你呀……是不是光顾着激动，把自己写的《半导体集成电路生产工艺流程（草案）》都给忘了？”
“啊？”江夏一愣。
兰英博士的声音带着一丝调侃：“你自己说的，要做成一片能用的芯片，光有光刻机可不够！”
“我说的嘛？”江夏掏出自己的笔记本，在上面狠翻了一阵子，“啊，想起来了。除了光刻机还有扩散炉和真空蒸镀设备嘛！”
“不过，后面两个设备我不还没进行工艺改进的嘛？”江夏在笔记本上翻腾了一圈后喃喃自语，确认这两个设备他还只写了个名称和大致要求。
兰英博士的话继续传来：“为了尽快做出第一批验证芯片，我把能借调的人都借调来了！
某精密仪表厂负责扩散炉温控系统的，东北器材设备厂负责蒸镀腔体密封的，还有材料所研究高纯气体和金属靶材的……
实验室都快挤成罐头了！大家伙儿都在加班加点，就等着光刻机这边‘画’好图，好接力往下做呢！”
江夏有点目瞪口呆，原想着先把光刻机理顺了再去捣鼓后续的设备，哪能想到兰英博士她们的主观能动性如此强悍，居然硬生生凑齐了低集成度芯片制备的“三驾马车”！
嗯，是的。聪明的你指定发现了，这套工艺除了小呆毛说的三种主要设备，还少了个离子注入机还有化学气相沉积机，外加一整套的测试设备，比如检测芯片的电性能、信噪比、功耗等……
但是，我们的小呆毛大手一挥，把后面的几种全给精简了一下。
别怪他这么“抠门”。谁不想用最好的？
离子注入的核心是将杂质离子（如硼、磷）加速到数千甚至数万电子伏特的高能状态，穿透硅表面实现精准掺杂。
单单是提供稳定的高能电场这一项，以目前的条件就近乎天方夜谭，更别提产生高纯度离子束了。
但是！嘿嘿嘿，扩散炉可以暂时顶上！它不需要复杂的能量加速，依靠纯粹的热运动就能实现掺杂。
反正现在的芯片也就百来个晶体管，器件尺寸在微米级，对掺杂深度和浓度的误差容忍度相对较高。热扩散精度虽有限，但搭建早期简单逻辑门，够用了！
至于化学气相沉积？还是用扩散炉啊！虽然需要手动精细控制气体阀门，反应生成的薄膜直接沉积在炉管内的硅片上。
满足小规模集成电路对绝缘层和导电层的基本需求，绰绰有余！
现在，不追求完美，只追求能用！
小呆毛的信条就是——“不求最合适，但求能使用！”
合理吗？简直太合理了！
“这么说，要是光刻机上线了，那我们就能生产出芯片了？”
江夏痛苦的哀嚎。
第一枚芯片啊，想想这么重要的时候，自己居然不能在现场，小呆毛已经悲伤的开始对着红木桌子“梆梆梆……”
“诶！咋就不多问一嘴哪！自己对‘芯片’这块是不是有点不上心了……”
确实是这样，由于有一众大神的存在，忙碌的江夏确实没对自己规划的PMOS技术研究进度进行过多的干预。
不过，这意外的“偷懒”，某种程度上竟成了歪打正着的“神来之笔”？
要知道，在眼下这个六十年代，电子技术作为一个方兴未艾的新生学科，整个世界都如同在迷雾中摸索前行。
晶体管诞生不过十几年，集成电路的概念更是新得烫手。白头鹰仙童公司鼓捣出第一块实用集成电路也就去年的事，技术远未成熟，工艺路线五花八门，大家都在“摸着石头过河”。（这里说明下，仙童内部样品完成于 1960 年底，1961 年开始小规模供货。所以时间上，还是他们比较快。）
而正是在这种“混沌初开”的背景下，我们前期的电子技术积累，相对而言，反而显露出一种独特的“强”！
大家站在同一条起跑线上，没有绝对成熟的路径可循，没有不可逾越的技术鸿沟！
比拼的，就是谁的理念更先进，谁的执行力更强，谁能更快地整合资源、突破关键节点！
在这个全新赛道上，大家都是从零开始狂奔没多久。我们起步虽然略晚，但并非遥不可及。就像一场刚鸣枪的长跑，头几圈的距离差距远没有后期那么令人绝望。
还有就是我们没有庞大的电子管产业转型的阻力反而能更快地拥抱新技术、集中资源砸向最前沿。
江夏这个扑棱蛾子挥着小翅膀猛扇的情况下，一方面提供了清晰且符合时代条件的技术路线图，避免了在错误方向上的大量试错和资源浪费。另一方面则基于路线设计了符合实际情况的设备参数。
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