使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱，并注入离子，形成PN结（逻辑闸门）；然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。
离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。
其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。
此项技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。
在完成离子注入之后，接下来就是清楚残余光刻胶的步骤了。
此刻，单晶硅内部的一部分硅原子已经被替换了，这些被替换的就可以产生自由的电子和空穴，到这个步骤其实也已经差不多了。
最后就算绝缘层的处理，利用复杂的技术完成绝缘层，然后用光刻技术在绝缘层上开孔，以方便已导出电极。
然后在利用沉淀铜层，在溅射法的帮助下，在硅片的表面形成铜层的布置，在用光刻技术进行全方位的雕刻，形成一个个有用的原件。
这一个步骤会出现数以百亿的集体管，然后在把这些晶体管连接起来，经过反反复复的工序和加工组，最终连通电路网络。
然后每一层完成cmp磨平之后，在开始cu立体化布线，开发出大马士革新的布线方式，镀上阻挡金属层之后，整体溅镀cu摸，在利用cmp将布线之外的cu阻挡，完成布线。
这就是芯片的全过程，可谓是无比的困难，其工艺结晶是人类几百年来全部的智慧，一片指甲盖大小的芯片，其制造难道比核武器还要困难，实在是对精度的要求太高了。
完成芯片之后就是晶圆测试。
经过上面的几道工艺之后，晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
由于每个芯片的拥有的晶粒数量是非常庞大的，完成一次针测试是一个非常复杂的过程，这要求在生产的时候尽量是同等芯片规格的大批量生产，毕竟数量越大相对成本就会越低。
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