但浸润式DUV光刻机的极限，也就是22纳米的制程工艺了，通过重复的暴光技术，在顶级制程技术和顶级材料的配合下，勉强可以加工生产出7至5纳米制程工艺的芯片。
这个技术可以说是已经超越了浸润式光刻机的极限了，再想更精密，基本上不可能了。
而要想生产出更高制程工艺技术的光刻机，则只能是极深紫外线的EUV光刻机技术了。
而EU∨光刻机技术，河兰阿斯慢公司虽然已经研究出来了，并且已经投产了，但其实性能并不是很稳定，产能很低，技术尚且不成熟。
一直到二零一六年，河兰阿斯慢公司才完成了，对EUV光刻机技术的突破，并最终实现了EUV光刻机的量产，一举垄断了全球的EUV光刻机市场。
星光科技集团想要研发EUV光刻机技术，难度可以说是非常的大，而且这也不仅仅只是投资多少研发费用的问题。
13.5nm引领下一代光源，新技术面临巨大挑战，更先进的EUV光刻系统，采用波长为13.5nm的极紫外光作为曝光光源，是之前193nm的114。
该光源被称为激光等离子体光源，是通过用高功率二氧化碳激光器激发锡（Sn）金属液滴，通过高价Sn离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的辐射。
除了这些问题之外，该光源的稳定性和聚光元件的保护，也是巨大的挑战。
因为用于激发的激光器本身存在抖动，激光与等离子体作用时产生的污染将会对光源聚光元件造成影响和破坏。
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